西部数据/铠侠今年量产162层第六代BiCS闪存，预计10年内达到500

据TechPower RUP报道，西部数据与《铁甲侠》合作，将于今年量产第六代BiCS NAND，采用162层NAND闪存堆叠技术。

据介绍，西部数据和铁甲侠的162层NAND闪存将达到竞争对手的176层容量，芯片尺寸更小，单晶片100TB，比上一代的单晶片70TB有大幅提升。

西部数据和铁甲侠也公布了未来的路线图2024年，BiCS+已经超过200层如果一切按计划进行，2032年应该可以看到500层NAND闪存

本站曾经报道，2020年，西部数据公司和Armored公司发布了第五代BiCS 3D NAND，BICS S5采用112层设计，密度比上一代增加了40%接口速度提升50%至1.2 gt/s，第六代BiCS NAND的参数信息预计将于今年晚些时候量产公布

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