为减少资本支出，美光将基于EUV光刻的1γnm制程DRAM技术推迟到20

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美国最大的存储芯片制造商美光科技周三宣布，该公司将在2023年裁员约10%，并停止发放奖金这再次表明，科技行业增长放缓正在影响就业

作为削减资本支出的一部分，据报道，美光将使用EUV光刻技术的1γ nm工艺DRAM推迟到2025年，232层之后的NAND节点也推迟了。

美光的1γ制造技术原定于2024年的某个时候推出，但由于美光必须在2023和2024财年减少新设备和DRAM位出货量的支出，因此将不得不放缓其1β和1γ制造技术中DRAM的增长速度。

本站了解到，该公司最新的1β制造node—BIT的密度提高了35%，功率效率提高了15%，但这项技术仍然依赖于深紫外光刻技术。

相比之下，三星和SK海力士已经在其第四代10纳米存储技术的几个层中使用了EUV光刻技术，并计划进一步加强其在第五代10纳米DRAM节点中的使用。

鉴于我们决定放缓1βDRAM的生产速度，我们预计我们的1γ技术将于2025年推出，Micron表示同样，我们将延迟232层3D NAND内存之外的下一个NAND节点，以满足新的需求前景和所需的供应增长

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