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消息称三星正加速生产面向AI的HBM存储芯片,与海力士及台积电竞争

来源:IT之家    发布时间:2023-06-27 10:42   作者:IT之家   阅读量:6959   

,今年 5 月,三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 承认,三星的代工技术落后于台积电。他同时表示,三星将在五年内超过台积电。现在有消息称,三星正准备于今年大规模生产面向 AI 应用的高带宽存储芯片。

据外媒 KoreaTimes 报道,三星计划在 2023 年下半年大规模生产面向 AI 的 HBM 芯片,而目前,他们的主要目标是先迎头赶上 SK 海力士,后者在 AI 存储芯片市场迅速取得了领先地位。

IT之家注意到,2022 年 SK 海力士在 HBM 市场占有约 50% 的份额,而三星占有约 40% 的份额。美光占有剩余的 10%。不过,HBM 市场整体上并不大,仅占整个 DRAM 市场的约 1%。

尽管如此,随着 AI 市场的增长,对 HBM 解决方案的需求预计将增加,三星现在计划迎头赶上 SK 海力士,并大规模生产 HBM3 芯片以应对市场变化,当下应用 AI 的存储芯片正在愈发普遍,而高带宽存储解决方案也越来越受到关注。

而此前消息称,三星赢得了 AMD 和谷歌作为其客户,三星将在其第三代 4 纳米工艺节点上制造谷歌的 Tensor 3 芯片,传闻中的 Exynos 2400 SoC 也可能是在 4 纳米工艺上制造。

谷歌的 Tensor 3 芯片渲染图,图源XDA

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